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新的一年，芯塔電子會在不同維度發力。產品上，繼續堅持創新，正式推出第三代碳化硅MOSFET產品；不斷豐富完善產品線，包括高電壓平臺的碳化硅分立器件及功率模塊。

市場上，我們會進一步繼續推進新能源汽車、充電樁、光伏儲能、工業電源等領域的客戶，擴大市場份額，實現年銷售額在2023年基礎上翻3-5倍。

我們將通過工藝優化、良率改進、質量控制、可靠性提升等一系列措施，為客戶提供更高品質、更優性能、更具性價比的產品并開啟定制化服務。芯塔電子始終圍繞著客戶的需求，補全及優化客戶端的產品布局，為客戶持續創造價值。

碳化硅器件企業商業模式主要有Fabless和IDM。國內SiC功率器件的廠商包括Fabless和Foundry大多有向IDM模式演進的趨勢。

但IDM模式也并非適用于任何企業。目前國內很多碳化硅廠商體量并不大，尚未實現盈利，若是大規模建廠的話，運營成本太高，對現金流的考驗非常大，工藝開發的難度和客戶認可度也是問題。

如果能得到代工廠的支持，Fabless廠商在設計方面確實更具靈活性，在碳化硅MOS方面的研發進程也較快，更適合具備高研發能力的創業團隊選擇布局。同時，代工廠的資質也可以為其供應鏈可靠性背書。結合當前碳化硅產業的發展階段和時間窗口等因素來看，國內IDM和Foundry + Fabless兩種商業模式將會長期并存，而且各自滿足終端市場不同的應用場景。

對當前碳化硅產業發展處于早中期階段的情況，能深度合作的Fabless + Foundry，如形成C-IDM的模式會更有優勢。因此，有國產Foundry資源，同時又有核心設計和工藝能力，具備長期創新能力的技術團隊會有更大的競爭優勢。

適度競爭，對提高產品性價比、讓利客戶非常重要，但行業內部一旦滑向惡性、單純價格戰的“內卷”，不僅意味著企業發展空間受擠壓，還會造成行業發展要素的內耗。這讓企業缺乏賴以支持研發投入的足夠利潤，讓產品技術創新嚴重滯后，甚至面臨生存艱難的窘境。

對于碳化硅企業來說，只有增強“內力”，打磨好自己的產品，開展技術創新和采取差異化競爭策略，是當下避免產業“內卷”的破解之法。同時，通過積極布局細分市場和領域，也能更快駛入“藍海”，防止過度的相互“搏殺”而分散沖刺產業發展的動能。

芯塔電子依靠團隊近二十年的技術及工藝積累，不斷修煉內功，提升競爭力。經過多年的發展，我們得到了越來越多客戶的認可和信賴，也適應市場的高速發展需求。

在目前競爭激烈的行業態勢下，芯塔電子對客戶終端應用的深刻理解，提前挖掘終端應用藍海市場，精準定義新產品，根據客戶的產品路線和需求完善自身產品線，積極開拓新應用市場，保持核心優勢，為客戶持續賦能。

在中大功率的應用中采用功率模塊的方案，可以進一步的提高產品的性能和功率密度。SiC目前除去新能源汽車主驅，在大部分應用中仍然是以單管為主，功率模塊的潛力是非常大的。不同于IGBT功率模塊，SiC功率模塊并沒有形成統一的標準。針對客戶的一些具體應用，SiC功率模塊在電路拓撲、封裝外形上面會有很大的變化。

更好的設計才能更好的發揮出SiC功率模塊的性能。目前傳統的IGBT模塊封裝廠，在工藝和設計上是不適合SiC功率模塊的，所以一些創新的、定制化的產品開發是必不可少的。芯塔電子布局專門的SiC功率模塊產線，這樣可以結合芯塔自身芯片開發出性能上更出色、能引領業界標準的功率模塊方案。

我們認為2024年將是SiC功率模塊爆發的元年，SiC功率模塊將在工業、光儲、充電樁、新能源汽車等市場開始大規模的應用和導入。

芯塔電子湖州SiC功率模塊線目前產線已經通線，產品試產已經開始。2024年3月份開始進入到量產爬坡階段

芯塔電子1200V SiC MOSFET已經通過權威第三方車規論證和高壓H3TRB，并且已經在新能源車的DC/DC導入，計劃2024年底導入OBC。另外，我們已經與頭部整車廠以及T1廠商達成了主驅碳化硅芯片定點開發的戰略合作協議，計劃2024年初推出主驅碳化硅芯片，2025年初量產主驅芯片。2024年是芯塔電子SiC產品在新能源汽車領域大放異彩的一年。我們將給客戶提供穩定、可靠、優質的SiC功率器件及創新應用方案。

芯塔電子自2022年初首款SiC MOSFET量產后，在不到兩年的時間里先后推出了650V/1200V/1700V三個電壓平臺18種不同型號的產品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具有更小尺寸、更低寄生干擾、優異熱管理能力及高可靠性的的封裝外形。

產品具有出色的熱性能和電氣性能，對標國際主流廠商產品。2023年SiC MOSFET出貨量超過百萬只。

面對最炙手可熱的新能源汽車市場，目前只有極少數國內廠商可提供高品質、高可靠的SiC MOSFET產品。芯塔電子自主研發的1200V/80mΩ TO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得全套AEC-Q101車規級可靠性認證及高壓960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核，躋身為國內少數SiC MOSFET產品通過雙重考核的廠商之一。

在供應鏈方面，碳化硅設計公司面臨的兩大挑戰，一是襯底、外延等核心材料的供應保障，二是晶圓代工和封裝代工產能的保障。目前突顯的挑戰主要是晶圓代工產能。芯塔電子在供應鏈的資源綁定與布局稍有不同。

從襯底、外延原材料上看，目前國內發展迅速，很多公司遍地崛起、競爭激烈，快速推動了產業的極大進步，成本的大幅降低。這個環節中的核心競爭力是單晶襯底。所以芯塔的布局是通過外延廠來鎖定襯底廠。我們在2024年已經與兩家優質的襯底廠完成了長期戰略合作協議。目前國內有量產能力的碳化硅晶圓代工廠其實并不是很多，芯塔電子與其中一家代工廠長久深度合作綁定，雙方共同扶持、共同成長。這種合作，不光在產品設計上對外有差異化，在工藝平臺的適配性上，也有形成了技術壁壘。面對未來的產業競爭態勢，芯塔電子進行了更多方向上的戰略布局，將充分發揮芯塔電子團隊在產線工藝平臺中的專業的技術能力。

封裝代工在國內就很成熟了，這里面也有我們自身的Knowhow。相信在供應鏈伙伴們的大力支持下，芯塔電子可以充分發揮設計能力、工藝能力的專業性和靈活性，用以支持不斷提升的市場及客戶需求。同時作為碳化硅功率器件國產化倡導者及引領者，芯塔電子也將與合作伙伴一起密切協同，積極推動碳化硅材料和相關設備的國產化導入，為國內碳化硅整體事業的快速發展貢獻一份力量。

芯塔電子的產品定義由具有二十年電力電子終端研發的資深技術專家負責。產品定義以市場和客戶需求為導向，聯合客戶一起定義復雜的產品，著重挖掘藍海市場的新產品，為終端客戶最大程度地創造價值。

我們針對主驅逆變器、OBC、暖通空調、輔助電源等特定的應用場景，完善相關的產品線及配套應用方案，為某些細分領域開發的器件正向集成化和智能化發展，最大化的為終端客戶創造價值。